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较5nm功耗再降25%、性能提升10% TSMC 3nm(N3)计划2022年大规模量产

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发表于 2020-8-26 00:00:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
2020世界半导体大会26日正式举行,TSMC(南京)总经理罗镇球透露了更多未来3nm制程的消息,TSMC在3nm进度比预期理想,预计会在2021年下半进入风险试产阶段,可望2022年可进入大规模量产,在半导体制程技术上继续保持领导地位。
 
早前,TSMC已在第26届技术研讨会上已确认了7nm的改良版6nm(N6)已经开始量产,其晶体管密度提升接近20%,5nm则完成了生态系统设计,并且已有客户开始在5nm技术基础上设计产品,现正进行5nm风险试产,预计年底可进入量产期,首先会应用在智能手机芯片上。
 
此外,3nm研发进度比预期理想,预期2021年下半年可进入风险试产,并看到3nm芯片出现市场上,并且将于2022年实现3nm大规模量产,相较5nm制程技术,TSMC 3nm将可降低25~30%功耗,同时带来10~15%的性能提升。
 
 

 

 
TSMC(南京)总经理罗镇球表示,摩尔定律往下走没问题,预期TSMC将可顺利推进至1nm,不过从前最大考察是在一个平面上能放多少晶体管,现在是变成可以在相同体积内放多少晶体管,目前TSMC 5nm芯片已可实现在单一芯片上放入100亿颗晶体管。
 
根据TrendForce 2020年Q2全球10大晶圆代工营收排名,TSMC稳居第一、占市场过半约53.9%,SAMSUNG第二占17.4%、GlobalFoundries排名前三占7%。
 
 

▲TSMC 3nm制程计划2022年大规模量产

 
 
TSMC透露2022年底就要导入3nm制程,对比Intel 7月宣布将7nm量产延至2023年……………..,绝对是天堂与地狱。
 
 
 
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