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8,000工程师参与台湾兴建2nm厂房2nm制程是TSMC能否持续领先的关键

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发表于 2020-8-26 00:00:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
2020世界半导体大会26日正式举行,TSMC除了公布了6nm、5nm、3nm制程的进度外,亦首次谈及了2nm制程研发,TSMC 2nm将会首次导入GAA环绕闸极工艺,将会投入8,000工程师专门针对2nm进行研发,并会在台湾新竹兴建2nm厂房,2nm将会是TSMC能否持续领先的关键之役。
 
据了解,无论是TSMC或是SAMSUNG,半导体制程均已推进至3nm级别,技术研发基本上已完成,剩下来是产能和良率问题了,但2nm制程将会是TSMC的重大挑战,因为SAMSUNG提早在3nm制程中导入GAA环绕闸极工艺,TSMC做法则比较保守,选择在2nm制程才导入GAA环绕闸极工艺,所以2nm对TSMC来说将会是一次重要的技术世代。
 

 
 
现时大部份14nm或以上制程均是采用FinFET鳍片式晶体管,当前的微缩制程走到3nm,将会面临新的物理极限,除非改用GAA环绕闸极工艺结构,否则摩尔定律就很难再维持下去,GAA环绕闸极工艺成为了兵家必争之地。
 
TSMC为了2nm制程将会投入8,000名工程师到2nm制程的生产研发,目前TSMC在2nm的进度顺利并取得重大突破,成功找到切入GAA环绕闸极工艺结构的路径,并计划在台湾新竹兴建2nm厂房,TSMC未来能否未来继续保持领先优势,2nm将会是重要关键。
 
 


 
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