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比 14nm 性能 +20%、面积缩小 63% 厉害了 !! 中芯宣布全新 N+1 制程试产

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发表于 2020-9-22 19:40:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
                                                                                                                                                                                         中芯国际 (SMIC) 宣布 2020 年底成功研发全新 N+1 制程,并预计在 2020 年底进行小批量试产、2021 年可望进入量产阶段,相较现时 SMIC 所拥有的 14nm 制程,其能提升 20%、功耗降低 57%、逻辑面积缩小 63%、SoC面积缩小 55%,将会成为中国半导体晶片生产的新希望。

据了解,SMIC 在 2019 年第 4 季度量产 14nm FinFET 制程,该技术现时可满足了国内约 95% 的晶片生产,从 14nm FinFET 改进良的 12nm FinFET 亦已进入客户导入阶段,这些都是 SMIC 的第一代 FinFET 技术,而 N+1 制程则属于 SMIC 的第 2 代 FinFET 技术,N+1 是 SMIC 的内部代号,并没有具体说明 nm 数字节点,但外界猜测很大机会是 10nm,而正在研发中的 N+2 会是为高性能晶片而生。

现时已得悉 N+1 制程 相较现时 SMIC 所拥有的 14nm 制程,其能提升 20%、功耗降低 57%、逻辑面积缩小 63%、SoC面积缩小 55%,由于不需要 EUV 技术所以无需要 ASML 最新的 EUV 光刻机,将会成为中国半导体晶片生产的新希望 。

随著制程不断进步,SMIC 沿用的 DUV 深紫外光刻机已经无法满足精度的要求,去年 SMIC 想向 ASML 购买 EVU 光刻机但受到美国阻挠,令中国知道核心技术的重要性,为降低美国对中国半导体行业的打击,中芯国际 (SMIC) 正进行去美国化计划,在年底前在完全不使用外国技术及设备下,实现全国产技术的 40nm 晶片试产,并且期待在 3 年内生产更先进的 28nm 制程,期望在技术上可做到自给自足。


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