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【速度达 5,600Mbps、单条最高 256GB】 SK Hynix 发布全球首款 DDR5 DRAM 模组

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发表于 2020-10-7 01:41:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
                                                                                                                                                                                         目前,AMD 及 Intel 都双双部署全新“DDR5 计划”,如无意外的话最快在明年就会有支援 DDR5 记忆体的非消费级平台推出,作为全球三大 DRAM 半导体厂之一的 SK Hynix 在今日宣布正式推出全球首款 DDR5 DRAM 产品,率先推出的初版 DDR5 DRAM 支援 4800 ~ 5600 Mbps 的传输速度,比上一代初版的 DDR4 快 1.8 倍,频宽也高达 4 1.6GB/s,工作电压亦降至 1.1V, 配合 TSV 封装能够组成容量高达 256GB 容量的 DDR5 模组。

早在 2018 年 11 月 SK Hynix 已成功开发旗下首款 16Gb DDR5 DRAM,及后 SK Hynix 与 System On  Chip 开发公司等不同企业共同运营现场分析研究室,并通过共同执行系统级别测试(System Level  Test)及各种模拟测试完成了新产品的性能验证。与此同时,SK Hynix 还与多间公司紧密合作,进行了包括 RCD 2 )、PMIC 3 ) 等构成模组的主要部件的兼容性验证,在经过各种验证及相容性测试后,目前已经可以推出市场。



根据官方的资料显示,SK Hynix 最新推出的全球首款 DDR5 DRAM 产品基于 1Ynm 制程 ( 相当于 14nm 至 16nm ) 的 16Gb DDR5 DRAM 晶片,用上 TSV ( through-silicon-via ) 封装技术可大幅增加 DDR5 的容量,单条最高可达到 256GB 容量。不仅如此,全新 DDR5 的产品工作电压亦由上代 DDR4 的 1.2V 降到 1.1V,成功减少了 20% 的功耗。



除了大幅增加的容量之外,DDR5 的最大卖点就是进一步拉高 DDR 记忆体的速度,相比上代 DDR4 可提供 1,600Mbps - 3,200Mbps 传输,SK Hynix 指出初版的 DDR5 传输速率可以高达 4,800Mbps - 5,600Mbps,比 DDR4 最多提升 1.8 倍。在5,600Mbps 传输速度的情况下,能够在短短 1 秒时间内传输 9 部全高清 ( Full-HD, FHD ) 电影。




SK Hynix DDR5 DRAM 的另一个显著特征是其晶片内置 ECC memory ( Error Correction Code ) 记忆体修正错误功能,能够依靠自身功能修复 DRAM 单元(cell)单字节单位的错误,亦因为内置 ECC 功能让 SK Hynix DDR5 DRAM 的系统的可信赖度有望提升二十倍。

SK Hynix 官方表示,与 Intel 等的核心客户维持紧密的合作关系,同时亦有向 OEM 厂商提供 DDR5 DRAM 样品及进行了产品测试,目前已能够完成一系列性能测试、兼容性验证等程序,代表 SK Hynix 已准备好将 DDR5 新品推出市场。


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